弯道超车甩开台积电:三星官宣3nm芯片已量产

今天,三星电子在官网宣布,公司位于韩国的华城工厂已经开始大规模生产3nm制程半导体芯片,是全球首家量产3nm芯片的公司。

这意味着,在新一代芯片工艺的节点上,三星成功实现了对台积电的弯道超车,抢先拿下了3nm芯片市场。

根据三星官方介绍,在3nm芯片上,其放弃了之前的FinFET架构,采用了新的GAA晶体管架构,大幅改善了芯片的功耗表现。

与5nm相比,新开发的3nm工艺能够降低45%的功耗,减少16%的面积,并同时提升23%的性能。

不过,虽然在3nm工艺上三星拔得头筹,但这并不代表三星在芯片代工市场上就能够一帆风顺。

一方面,台积电正在计划于2025年实现2nm芯片的量产,这意味着三星方面需要加紧新技术的研发工作,以防在下一代新技术上被台积电反超。

另一方面,由于4nm制程芯片的功耗问题,高通等重要客户对三星的3nm制程工艺目前都保持观望态度,不敢随意进行尝试。

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